二手電子顯微鏡，二手FIB

聚焦離子束顯微鏡FIB主要用途: 芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。

聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用范圍:

1.定點(diǎn)切割 

2.穿透式電子顯微鏡試片 

3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證 

4.制程上異常觀察分析 

5.晶相特性觀察分析 

6.故障位置定位用被動(dòng)電壓反差分析。

在各類應(yīng)用中，以線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證這一類的工作有很大經(jīng)濟(jì)效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發(fā)成本，這樣的運(yùn)作模式對(duì)縮短研發(fā)到量產(chǎn)的時(shí)程絕對(duì)有效，同時(shí)節(jié)省大量研發(fā)費(fèi)用。在各類應(yīng)用中，以線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證這一類的工作有很大經(jīng)濟(jì)效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發(fā)成本，這樣的運(yùn)作模式對(duì)縮短研發(fā)到量產(chǎn)的時(shí)程絕對(duì)有效，同時(shí)節(jié)省大量研發(fā)費(fèi)用。封裝后的芯片，經(jīng)測(cè)試需將兩條線路連接進(jìn)行功能測(cè)試，此時(shí)可利用聚焦離子束系統(tǒng)將器件上層的鈍化層打開，露出需要連接的兩個(gè)金屬導(dǎo)線，利用離子束沉積Pt材料，從而將兩條導(dǎo)線連接在一起，由此可大大縮短芯片的開發(fā)時(shí)間。

這也是芯片解密常用到手法。 

利用聚焦離子束進(jìn)行線路修改，（A）、（B）將欲連接線路上的鈍化層打開，（C） 沉積Pt材料將兩個(gè)線路連接起來。

芯片線路修改：

其實(shí)FIB被應(yīng)用于修改芯片線路只是其功能之一，這里介紹一下另幾個(gè)功能：樣品原位加工 可以想象，聚焦離子束就像一把尖端只有數(shù)十納米的手術(shù)刀。離子束在靶材表面產(chǎn)生的二次電子成像有納米級(jí)別的顯微分辨能力，所以聚焦離子束系統(tǒng)相當(dāng)于一個(gè)可以在高倍顯微鏡下操作的微加工臺(tái)，它可以用來在任何一個(gè)部位濺射剝離或沉積材料。圖1是使用聚焦離子束系統(tǒng)篆刻的數(shù)字；圖2則是在一個(gè)納米帶上加工的陣列孔；圖3是為加工的橫向存儲(chǔ)器單元陣列。

剖面制備觀察 微電子、半導(dǎo)體以及各型功能器件領(lǐng)域中，由于涉及工藝較多且繁雜。一款器件的開發(fā)測(cè)試中總會(huì)遇到實(shí)際結(jié)果與設(shè)計(jì)指標(biāo)的偏差，器件測(cè)試后的失效，邏輯功能的異常等等，對(duì)于上述問題的直觀可靠的分析就是制備相應(yīng)的器件剖面，從物理層次直觀的表征造成器件異常的原因。

電鏡：

透射（TEM）制樣 無論是透射電鏡還是掃描透射電鏡樣品都需要制備非常薄的樣品，以便電子能夠穿透樣品，形成電子衍射圖像。傳統(tǒng)的制備TEM樣品的方法是機(jī)械切片研磨，用這種方法只能分析大面積樣品。采用聚焦離子束則可以對(duì)樣品的某一局部切片進(jìn)行觀察。與切割橫截面的方法一樣，制作TEM樣品是利用聚焦離子束從前后兩個(gè)方向加工，最后在中間留下一個(gè)薄的區(qū)域作為TEM觀察的樣品。下圖所示為TEM制樣的工藝過程。